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bios参数设置注意事项(bios里面各参数的中英文对照)

时间2025-09-19 12:43:11分类IT科技浏览8677
导读:Above1MBMemoryTest:设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌,电脑用户安装内存容量陡然增加,开机时的大容量内存自检时间太长,今后,即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。...

Above1MBMemoryTest:设置开机自检时是否检测1M以上内存                 。该选项已经在新的BIOS中被淘汰                          。由于内存价格暴跌                  ,电脑用户安装内存容量陡然增加                         ,开机时的大容量内存自检时间太长        ,今后                  ,即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关        。

AutoConfiguration:设置为允许时                          ,BIOS按照最佳状态设置         。BIOS可以自动设置内存定时        ,因此会禁止一些对内存设置的修改         ,建议选择允许方式                          。

MemoryTestTickSound:是否发出内存自检的滴嗒声                 。如果您闲它烦                          ,可以关闭它们         。

MemoryParityErrorCheck:设置是否要设置内存奇偶校验                          。多在30线内存条使用时代                 ,已经被淘汰                 。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

CacheMemoryController:是否使用高速缓存                          。不在流行的AwardBIOS中使用                          。

ShadowRAMOption:设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度         ,但也可能造成死机                 。

InternalCacheMemory:是否使用CPU内部缓存(一级缓存)                          。可以提高系统性能        。

ExternalCacheMemory:是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)                 。可以提高系统性能                          。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现                          ,使主板上的二级缓存退居成三级缓存        。

ConcurrentRefresh:直译是同时发生的刷新         。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新                 ,可以提高系统性能                          。

DRAMReadWaitState:设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期                 。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待         。

DRAMWriteWaitState:设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期                          。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待                 。

SlowRefresh:对质量好的内存,保持数据的时间比较长                          ,可以设置更长的时间周期                         ,从而提高系统性能。

ShadowCachecable:把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存,使性能更进一步                          。

PageMode:使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式                          。

RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期                  ,因此采用计数器来监视RAS周期                         ,一旦超过RAS周期        ,则将周期自动复位为0                 。

MemoryRelocation:内存重新定位                          。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中        。

MemoryHole:有人称作内存孔洞                 。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用                  ,可以加速该卡工作速度或避免冲突                          。一般被设置成禁止                          ,除非ISA扩展卡有专门的说明        。

DRMATimingSetting:快页内存或EDO内存速度设置        ,通常是60ns或70ns选择         ,对10ns或更快的SDRAM内存无效         。

FastMAtoRASDelay:设置内存地址(MemoryAddress)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间                          。

DRAMWriteBrustTiming:CPU把数据写如高速缓存后                          ,再写如内存的延迟时间                 。

FastRASToCASDelay:行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间         。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间                          。

DRAMLead-OffTiming:CPU读/写内存前的时间                 。

DRAMSpeculativeRead:设置成允许时                 ,读内存的时间比正常时间提前一个时间周期         ,可以提高系统性能。

DRAMDataIntegrityMode:选择内存校验方式是Parity或ECC                          。

RefreshRASAssertion:设置内存的行地址刷新时间周期                          ,对质量好的内存可以延迟刷新                 ,从而提高系统性能                          。

RASRechargePeriod:内存行地址信号预先充电所需要的时间。

FastEDOPathSelect:设置选择对EDO内存读/写的快速途径,可以提高系统性能                 。

SDRAMRASLatency:设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟                          。

SDRAMRASTiming:设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间                          ,也即刷新时间        。

PeerConcurrency:为提高系统并行                         ,使CPU对高速缓存或内存或PCI设备,或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行                 。系统智能越高                  ,同CPU并行的操作越多                         ,性能提高越多                          。

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