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bios参数设置注意事项(bios里面各参数的中英文对照)

时间2025-05-04 12:26:16分类IT科技浏览5526
导读:Above1MBMemoryTest:设置开机自检时是否检测1M以上内存。该选项已经在新的BIOS中被淘汰。由于内存价格暴跌,电脑用户安装内存容量陡然增加,开机时的大容量内存自检时间太长,今后,即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关。...

Above1MBMemoryTest:设置开机自检时是否检测1M以上内存            。该选项已经在新的BIOS中被淘汰                   。由于内存价格暴跌             ,电脑用户安装内存容量陡然增加                  ,开机时的大容量内存自检时间太长      ,今后             ,即使一遍的内存检测可能也会出现允许/禁止开关      。

AutoConfiguration:设置为允许时                   ,BIOS按照最佳状态设置      。BIOS可以自动设置内存定时      ,因此会禁止一些对内存设置的修改      ,建议选择允许方式                   。

MemoryTestTickSound:是否发出内存自检的滴嗒声             。如果您闲它烦                   ,可以关闭它们      。

MemoryParityErrorCheck:设置是否要设置内存奇偶校验                  。多在30线内存条使用时代            ,已经被淘汰             。但把非奇偶校验内存强行进行奇偶校验设置会使电脑无法开机。

CacheMemoryController:是否使用高速缓存                  。不在流行的AwardBIOS中使用                   。

ShadowRAMOption:设置系统BIOS或显示卡BIOS是否映射到常规内存中。可以加快速度      ,但也可能造成死机            。

InternalCacheMemory:是否使用CPU内部缓存(一级缓存)                   。可以提高系统性能      。

ExternalCacheMemory:是否使用CPU外部缓存(主板上的二级缓存)            。可以提高系统性能                   。AMD新的具有两级缓存的CPU的出现                   ,使主板上的二级缓存退居成三级缓存      。

ConcurrentRefresh:直译是同时发生的刷新      。设置CPU在对其它I/O操作时对内存同时刷新            ,可以提高系统性能                   。

DRAMReadWaitState:设置CPU从内存读数据时的等待时钟周期             。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待      。

DRAMWriteWaitState:设置CPU向内存写数据时的等待时钟周期                  。在内存比CPU慢时可以设置更多的等待             。

SlowRefresh:对质量好的内存,保持数据的时间比较长                   ,可以设置更长的时间周期                  ,从而提高系统性能。

ShadowCachecable:把映射到常规内存的BIOSROM增加高速缓存,使性能更进一步                  。

PageMode:使内存工作于PageMode或PageInterleaved模式                   。

RASTimeoutCounter:使PageMode或PageInterleaved模式的工作速度更快。因为有可能会超过内存RAS周期             ,因此采用计数器来监视RAS周期                  ,一旦超过RAS周期      ,则将周期自动复位为0            。

MemoryRelocation:内存重新定位                   。即将384的上位内存(UpperMemoryBlock)数据转储到1MB以上的扩展内存中      。

MemoryHole:有人称作内存孔洞            。把内存地址15MB-16MB的区域留给一些特殊的ISA扩展卡使用             ,可以加速该卡工作速度或避免冲突                   。一般被设置成禁止                   ,除非ISA扩展卡有专门的说明      。

DRMATimingSetting:快页内存或EDO内存速度设置      ,通常是60ns或70ns选择      ,对10ns或更快的SDRAM内存无效      。

FastMAtoRASDelay:设置内存地址(MemoryAddress)到内存行地址触发信号(RAS)之间的延迟时间                   。

DRAMWriteBrustTiming:CPU把数据写如高速缓存后                   ,再写如内存的延迟时间             。

FastRASToCASDelay:行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间      。通常是RAS#下降到CAS#下降之间的时间                  。

DRAMLead-OffTiming:CPU读/写内存前的时间             。

DRAMSpeculativeRead:设置成允许时            ,读内存的时间比正常时间提前一个时间周期      ,可以提高系统性能。

DRAMDataIntegrityMode:选择内存校验方式是Parity或ECC                  。

RefreshRASAssertion:设置内存的行地址刷新时间周期                   ,对质量好的内存可以延迟刷新            ,从而提高系统性能                   。

RASRechargePeriod:内存行地址信号预先充电所需要的时间。

FastEDOPathSelect:设置选择对EDO内存读/写的快速途径,可以提高系统性能            。

SDRAMRASLatency:设置SDRAM内存的行地址触发到列地址触发的时间延迟                   。

SDRAMRASTiming:设置系统对SDRAM内存的行地址触发时间                   ,也即刷新时间      。

PeerConcurrency:为提高系统并行                  ,使CPU对高速缓存或内存或PCI设备,或PCI的主控信号对PCI外围设备等等操作同时进行            。系统智能越高             ,同CPU并行的操作越多                  ,性能提高越多                   。

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